一、單極晶體管

單極晶體管又稱場效應管，簡稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種由輸入電壓產生的電場效應控制輸出電流大小的電壓控制裝置。它只有一個載流子（大多數(shù)載流子）參與導電，因此被稱為單極晶體管。

特點：

輸入電阻高，可達107 ~ 1015 Ω，絕緣格柵場效應管(IGFET) 可高達 1015 Ω。

噪音低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡單，易于集成，設備特性控制方便，功耗小，體積小，成本低。

分類：

根據(jù)材料的不同，可分為結型場效應管JFET (Junction Field Effect Transistor)IGFET和絕緣格柵場效應管(Insulated Gate FET) 。

二、雙極晶體管

雙極晶體管又稱晶體三極管，是由輸入電流控制輸出電流的電流控制裝置，具有電流放大的作用。它有兩種載流子，電子和空穴參與導電過程，因此被稱為雙極三極管。

特點：

三極管可用于放大微弱信號，并作為無觸點開關。它具有結構牢固、使用壽命長、體積小、功耗低等一系列獨特優(yōu)點，廣泛應用于各個領域。

分類：

根據(jù)材料的不同，晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。

硅三極管反向泄漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，在高溫下工作，功率損失大。鍺三極管增益大，頻率響應好，特別適用于低壓線路。